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BAV100 ... BAV103 BAV100 ... BAV103 Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes Superschnelle Si-Dioden fur die Oberflachenmontage Version 2005-08-15 Max. power dissipation - Max. Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case MiniMELF Kunststoffgehause MiniMELF Weight approx.- Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.6 500 mW 50...300 V DO-213AA 0.04 g 3.5 Dimensions - Mae [mm] Marking: Kennzeichnung: Maximum ratings Type Typ BAV100 BAV101 BAV102 BAV103 Max. power dissipation Max. Verlustleistung Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, t 1 s Stostrom, t 1 s Peak forward surge current, t 1 s Stostrom, t 1 s Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 Tested with pulses IR = 100 A, tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 A, tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ 0.4 0.4 One green ring denotes "cathode" and "superfast switching diode" The type numbers are noted only on the lable on the reel Ein gruner Ring kennzeichnet "Katode" und "superschnelle Diode" Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 300 TA = 75C TA = 75C f > 15 Hz TA = 25C TA = 25C Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM Tj TS Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] 1) 60 120 200 300 500 mW 2) 200 mA 2) 650 mA 2) 1A 5A -50...+175C -50...+175C (c) Diotec Semiconductor AG 1 BAV100 ... BAV103 Characteristics Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Warmewiderstand Sperrschicht - Anschluss Tj = 25C Tj = 25C Tj = 125C IF = 0.2 A VR = VRRM VF IR IR trr RthA RthT Kennwerte < 1.25 V < 5 A < 50 A < 50 ns < 150 K/W 1) < 70 K/W IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to IR = 0.25 A 120 [%] 100 10 [A] 1 80 Tj = 125C 60 10-1 40 10 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [C] 1 -2 Tj = 25C IF 10-3 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG 2 |
Price & Availability of BAV100 |
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